因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

砷化鎵檢測(cè)去哪里檢測(cè)?中析研究所材料檢測(cè)機(jī)構(gòu)可提供砷化鎵檢測(cè)服務(wù)，CMA資質(zhì)認(rèn)證機(jī)構(gòu)，高新技術(shù)企業(yè)，正規(guī)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)，7-15個(gè)工作日出具砷化鎵檢測(cè)報(bào)告，檢測(cè)周期短、檢測(cè)費(fèi)用低、檢測(cè)結(jié)果科學(xué)準(zhǔn)確!

檢測(cè)范圍

砷化鎵襯底，砷化鎵晶元，LED砷化鎵，砷化鎵電池，砷化鎵拋光液等。

檢測(cè)項(xiàng)目

表面缺陷檢測(cè)，外觀檢測(cè)，晶向檢測(cè)，損傷層檢測(cè)，位錯(cuò)檢測(cè)，拉伸強(qiáng)度檢測(cè)，含量檢測(cè)，封裝檢測(cè)，XRD檢測(cè)，光電效率檢測(cè)，少子壽命檢測(cè)，機(jī)械載荷檢測(cè)，晶格常數(shù)檢測(cè)，電阻率檢測(cè)等。

檢測(cè)周期：7-15個(gè)工作日

檢測(cè)費(fèi)用：初檢小樣，稍后實(shí)驗(yàn)室工程師根據(jù)檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)。

砷化鎵檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 8757-2006砷化鎵中載流子濃度等離子共振測(cè)量方法

GB/T 8758-2006砷化鎵外延層厚度紅外干涉測(cè)量方法

GB/T 8760-2020砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 11094-2020水平法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 17170-2015半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法

GB/T 18032-2000砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法

GB/T 19199-2015半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法

GB/T 20228-2021砷化鎵單晶

GB/T 25075-2010太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶

GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化鎵襯底

GB/T 35305-2017太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片

砷化鎵檢測(cè)流程

1、寄樣

2、初檢樣品

3、報(bào)價(jià)

4、雙方確定，簽訂保密協(xié)議，開(kāi)始實(shí)驗(yàn)

5、7-15個(gè)工作日完成實(shí)驗(yàn)

6、郵寄檢測(cè)報(bào)告，后期服務(wù)。

中析研究所檢測(cè)有什么優(yōu)勢(shì)

1、中析研究所CMA資質(zhì)認(rèn)證，出具正規(guī)的第三方檢測(cè)報(bào)告。

2、中析研究所擁有正規(guī)的第三方實(shí)驗(yàn)室，科研團(tuán)隊(duì)強(qiáng)大。

3、中析研究所7-15個(gè)工作日可出具檢測(cè)報(bào)告，檢測(cè)周期短。

4，中析研究所為嚴(yán)謹(jǐn)、公正科研機(jī)構(gòu)，高新技術(shù)企業(yè)

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